中空SiO2的合成及表征

編號:99-588216 | DOC格式 | 10.52M | 31 頁

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中空SiO2的合成及表征

1.35萬字 31頁 原創作品,已通過查重系統


畢業設計說明書中文摘要
在過去的二十年中系統地開發二氧化硅微孔介孔材料無論是基礎科學還是先進技術都已成為一個很有意義的挑戰。在本文中,我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅,研究反應溫度、反應時間及硅源用量等反應條件對制備中空二氧化硅的影響。本實驗以原硅酸四乙酯為硅源,加入CTAB做表面活性劑,設定反應溫度為90、100、150、180℃,反應時間為10、13、16h,硅源用量為0.5、1.0、1.5、2.4ml,對不同條件下所制得的樣品進行表征。
當濃度、溫度不變時,反應時間越長,衍射峰強度越低,峰所在角度越大;濃度、時間不變時,隨溫度升高,隨著溫度升高,衍射峰的強度變大,衍射峰所在角度及介孔孔徑變化無明顯規律;溫度、時間不變時,隨硅源用量變大,峰所在角度變大,有序孔孔徑基本不變。
結果表明,硅源用量為1.0ml,反應溫度為150℃,反應時間為16h是反應的最佳條件。


關鍵詞 介孔二氧化硅,奧斯瓦爾德熟化,中空結構

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