中空SiO2的合成及表征

編號:99-588216 | DOC格式 | 10.52M | 31 頁

本文共31頁,可試讀10

試讀已結束,如需獲得全文請點擊下載

下載
已通過人工審核校對,完整可用,請放心下載 已加入誠信保障計劃,若無法下載可先行賠付
豆知手機版上線啦
分享 收藏
立即下載

內容介紹

原文檔由會員 花粥 發布

中空SiO2的合成及表征

1.35萬字 31頁 原創作品,已通過查重系統


畢業設計說明書中文摘要
在過去的二十年中系統地開發二氧化硅微孔介孔材料無論是基礎科學還是先進技術都已成為一個很有意義的挑戰。在本文中,我們采用奧斯特瓦爾德熟化的方法制備中空二氧化硅,研究反應溫度、反應時間及硅源用量等反應條件對制備中空二氧化硅的影響。本實驗以原硅酸四乙酯為硅源,加入CTAB做表面活性劑,設定反應溫度為90、100、150、180℃,反應時間為10、13、16h,硅源用量為0.5、1.0、1.5、2.4ml,對不同條件下所制得的樣品進行表征。
當濃度、溫度不變時,反應時間越長,衍射峰強度越低,峰所在角度越大;濃度、時間不變時,隨溫度升高,隨著溫度升高,衍射峰的強度變大,衍射峰所在角度及介孔孔徑變化無明顯規律;溫度、時間不變時,隨硅源用量變大,峰所在角度變大,有序孔孔徑基本不變。
結果表明,硅源用量為1.0ml,反應溫度為150℃,反應時間為16h是反應的最佳條件。


關鍵詞 介孔二氧化硅,奧斯瓦爾德熟化,中空結構

掃掃二維碼,隨身瀏覽文檔

手機瀏覽器 即可繼續訪問

推薦 UC瀏覽器 或 百度手機瀏覽器

手機閱讀文檔,一鍵掃碼下載

獲取二維碼

微信公眾號

手機 關注公眾號

關注公眾號,用微信掃描即可登錄網站

獲取二維碼
幸运飞艇计划数据 单机版麻将游戏下载 腾讯分分彩分析软件下载 天才麻将少女真人版 河南快三开奖纟结果 新疆十一选五开奖 三分彩-首页 老版明星三缺一麻将 快乐飞艇人工计划预测 亿胜金融 股票涨停查询 富狗棋牌? 老快3遗漏号360 牛彩3d图谜字谜汇 真人发红包东北麻将群 nba历届状元 广东麻将规则